中国造出“新型光刻机”可实现22nm工艺制程现已投入使用

  美国封锁和打压我国的芯片产业，甚至先后发布限芯令和颁发芯片法案，还把台积电都威胁搬到了美国，在使绊子的前提下，我国还是排除干扰，造出新型光刻机，能够实现22NM工艺制程，现在已经投入使用。

  美国禁止世界上具有先进技术和设备的半导体公司，光刻机企业，和我国合作，生怕我国获得更好的技术，在研制方面转入快车道，赶超美国。

  美国很有信心封锁芯片相关领域的技术，因为芯片的制程方式必须依赖光刻机，如果切断供货渠道，自然就无法得到更好的设备，对于芯片来说，只有设计，没有精密机器进行加工，也是无法实现生产的。

  世界上目前精度最高的光刻机，内部一共多达十万多个零部件，也是人类能建造出来的最精密的仪器之一，全球范围内对于芯片生产的精度，已经达到了7NM制程，但是这也是经过了几十年的研发才取得的成就。

  像韩国三星电子和台积电，已经早在两年前就一直扬言要进行3NM芯片的量产，但是时至今日，还是没能实现大量的生产，可见精度越高，生产难度越大，良品率就越低。

  我国中科院光电研究所，现在通过自主研发，取得了技术突破，研发建造出国产的“新型光刻机”，也叫超分辨力光刻机。现在已经通过了各项测试，符合验收标准，已经开始投入使用。

  现在世界上的光刻机最先进的技术就在荷兰的阿斯麦公司，这种光刻机的设计建造原理，曝光方式和我国研发的不同。

  我国绕开了其科研方式，可以说是独辟蹊径另起炉灶，具有开创性的研究成果，和美国的电子束光刻机的科研方向趋同，属于更加先进的技术思路和研发方式。

  目前作为参照比较的话，美国的电子束光刻机，在实验室中实现了0.7NM芯片的制造，这个精度是让人震惊的，虽然没能达到量产，但是在研发成果和参考意义方面，都是具有非常重要的作用。

  我国如果继续在这个研发方向深耕和努力，将会取得更加喜人的成就。也会为我国芯片领域的研发工作，提供更加广阔的发展空间，和打下更加坚实的基础。

  现在中科院光电研究所的这种超分辨力光刻机，已经投入了使用，会在生产中不断进行优化和完善，为提升精度制程，做出更多数据积累和对比。

  全球精度最高的光刻机，是荷兰的阿斯麦生产0.55NAEUV光刻机，这个精度创造了世界之最，也是目前人类使用EUA光刻机能建造出来的纳米芯片极度上限了。

  然而美国的一家企业ZYVEX LABS直接超乎人们想象，研发电子束EBL光刻机，挑战精度制程的埃米级，让人震惊不已，这种光刻机的效能，是荷兰的EUA光刻机所无法达到的，也是科技发展的又一条新的路径。

  现在我国的超分辨力光刻机，就是趋同于美国的这种电子束光刻机的原理，可见剑走偏锋，还能继续挑战科技的上限，未来我国在光刻机方面一旦获得更好的进展，为制造精度更高的芯片，提供强有力的保障。

  那么美国的电子束光刻机竟然达到了科技天花板般的精度，后来者还有超越的空间和可能吗？实际上，美国现在的电子束光刻机，虽然精度上达到了超乎想象的程度，但是还是仅限于实验室中完成了生产，现在来看不具有量产芯片的能力，这就是这种光刻机的最大弱项。

  毕竟芯片需要大量的供应，才能对电子产品的换代，起到稳固的保障，如果只能少量的制造，对于整体芯片的精度升级，是杯水车薪的，只能在高精度仪器的定制方面去适应市场，那就是说暂时来看，美国的电子束光刻机无法和荷兰的光刻机进行PK，毕竟不具备量产实力。

  那么我国的超分辨率光刻机，在投入使用后，已经开始量产22NM的芯片，而且还会在不久的将来，尝试和突破量产7NM制程的芯片。看来我国的光刻机研发，还大有可为，而且如果能够突破量产的瓶颈，就会超越美国的电子束光刻机，一跃成为国际方面光刻机的新型技术代表。

  也期待我国的新型光刻机尽快完成升级，还能在现有基础上，取得更大的突破，打破西方国家的技术垄断，早日实现高精度芯片国产化！