【48812】麻省理工学院将电子束光刻推动至9纳米

  麻省理工学院(MIT)的研究人员们声称现已开发出了一种新技能，能将用于芯片图画蚀刻的高速电子束光刻的分辨率标准推动到9nm(纳米)，远远超出人们此前的料想。

  MIT表明，电子束光刻东西之前最小的形体尺度是25nm，而他们的新发现将会大大延伸电子束光刻技能在半导体制造业中的寿数。

  MIT泄漏，他们的这次打破首要得益于两点，一是运用更薄的绝缘层来尽可能的防止电子散射，二是运用特别的资料对接纳电子较多的区域进行了加固。

  多年来，半导体厂商一直在尽力用极紫外光刻(EUV)替代传统的光学蚀刻技能，可是EUV的批量投产再三推延，现在最达观的估计是比及2012-13年的22nm半代代节点工艺。即便如此，EUV也面临着许多技能难题，短期内难以遍及。